DR平板探測器可以分為兩種：非晶硒平板探測器和非晶硅平板探測器，從能量轉換的方式來看，前者屬于直接轉換平板探測器，后者屬于間接轉換平板探測器。

 

非晶硒平板探測器主要由非晶硒層TFT構成。入射的X射線使硒層產生電子空穴對，在外加偏壓電場作用下，電子和空穴對向相反的方向移動形成電流，電流在薄膜晶體管中形成儲存電荷。每一個晶體管的儲存電荷量對應于入射X射線的劑量，通過讀出電路可以知道每一點的電荷量，進而知道每點的X線劑量。由于非晶硒不產生可見光，沒有散射線的影響，因此可以獲得比較高的空間分辨率。

 

非晶硅平板探測器由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管或電荷耦合器件或互補型金屬氧化物半導體構成它的工作過程一般分為兩步，首先閃爍晶體涂層將X線的能量轉換成可見光；其次TFT或者CCD，或CMOS將可見光轉換成電信號。由于在這過程中可見光會發生散射，對空間分辨率產生一定的影響。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對X線的利用及降低散射，但散射光對空間分辨率的影響不能完全消除。